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電路保護器件保護移動設(shè)備避免ESD影響

作者:聯(lián)豐盈電子 發(fā)布時間:2019-03-09點擊:2019-03-09

信息摘要:

移動設(shè)備用戶之需求日益復(fù)雜,使得便攜式產(chǎn)品的設(shè)計集成了更多的輸入/輸出(I/O)互連。更高的電流密度和更小的晶體管尺寸,以及用于芯片保護的有限空間,均趨向于增加電子元器件

 移動設(shè)備用戶之需求日益復(fù)雜,使得便攜式產(chǎn)品的設(shè)計集成了更多的輸入/輸出(I/O)互連。更高的電流密度和更小的晶體管尺寸,以及用于芯片保護的有限空間,均趨向于增加電子元器件對靜電放電(ESD)等瞬態(tài)電氣過應(yīng)力事件的敏感性。減少此類瞬態(tài)事件的影響,不單有助于防止設(shè)備相互“交談”時導(dǎo)致數(shù)據(jù)損壞,還可提升總體可靠性。


ESD 基礎(chǔ)
      ESD事件是兩個具有不同靜電電位的物體經(jīng)由接觸或者電離空氣放電或火花放電而進行能量轉(zhuǎn)移而引起。材料類型、接觸面積、分離速度、相對濕度和其它因素均影響了摩擦充電生成的電荷量。一旦電荷在材料上生成,便成為“靜電”電荷,該電荷可從材料上轉(zhuǎn)移,導(dǎo)致ESD事件。
      靜電的主要來源大多是絕緣裝置,通常是合成材料(比如乙烯基或塑料工作表面、絕緣鞋、經(jīng)涂層整理的木椅子、膠帶、泡沫包裝和帶有未接地針腳的烙鐵)。
       圖1所示為典型的ESD特性曲線,為了模擬接觸放電事件,ESD生成器施加一個ESD脈沖到測試設(shè)備上。這項測試的特性是短上升時間和低于100ns的短脈沖持續(xù)時間,表明這是低能量靜態(tài)脈沖。由于這些來源的靜電并非早已分布在其表面或者傳導(dǎo)到其它對象,因此有可能產(chǎn)生極高水平的電壓。

  圖1. ESD生成器模擬的典型 8KV ESD脈沖
最常見的ESD來源包括:
●帶電的人體 – 人體可能由于行走或其它動作而帶電,如果來自人體的放電是經(jīng)由一個金屬物件如工具,那么造成的ESD損壞便會特別嚴重。
●拖過地毯的電纜 – 如果一個帶電的電纜插入一個具有任何電荷來源的傳導(dǎo)觸點,便可能生成一個ESD瞬態(tài)。
●搬運聚乙烯袋 –當(dāng)一個電子設(shè)備滑動進入或離開包或管道,便可能生成靜電電荷,這是因為設(shè)備的外殼和/或金屬引線與容器的表面發(fā)生了多次接觸和分離。
       ESD事件與電子設(shè)備運作的環(huán)境有關(guān),瞬態(tài)環(huán)境變化很大,汽車系統(tǒng)、機載或艦載設(shè)備、太空系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備或消費產(chǎn)品之間的差異很大。頻繁地使用移動設(shè)備,使得用戶很可能在連接或斷開電纜期間接觸I/O連接器針腳。在正常運作條件下,觸摸暴露的端口或接口可能導(dǎo)致超過30 kV的放電電壓。
        小尺寸半導(dǎo)體器件可能因過多的電壓、高電流水平或二者的結(jié)合而損壞,高電壓水平可能引起柵極氧化層擊穿,而過多的電流可能引起結(jié)點故障和金屬化跡線熔化。


用于高速I/O接口的ESD保護
       隨著 IC制造商已經(jīng)實現(xiàn)更高頻率的 I/O互連,他們繼續(xù)減小晶體管、互連產(chǎn)品,以及器件中二氧化硅(SiO2)絕緣層的最小尺寸,這導(dǎo)致在較低能量水平上發(fā)生擊穿損壞的可能性越來越大,而且使得ESD保護成為一個主要的設(shè)計考慮事項。根據(jù)IEC61000-4-2國際標準,大多數(shù)電子設(shè)備必需滿足最小8 kV接觸放電電壓或15 kV空氣放電電壓要求,然而,許多半導(dǎo)體器件不可耐受這種電氣應(yīng)力水平,有可能永久損壞。為了提高它們的可靠性,必需在系統(tǒng)中設(shè)計采用附加的芯片外保護電路。

 


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